Микросхему оперативной памяти DDR3 емкостью четыре гигабита, первую в мире, разработала компания Samsung. Она позволит увеличить объем модуля оперативной памяти до 32 гигабайт, так как выполнена с соблюдением 50-нанометровой технологии Требуемое напряжение 20 процентов меньше, чем требуется для работы выпускаемых в настоящее время чипов памяти DDR3, и составляет 1,35 вольта.
Кроме того, энергопотребление на 40 процентов меньше энергопотребления аналогичного, созданного на основе двухгигабитных чипов на базе четырехгигабитных микросхем, 16-гигабайтного модуля DDR3.
Четырехгигабитные чипы памяти DDR3 могут стать основой восьмигигабайтных модулей памяти для рабочих станций, настольных ПК и ноутбуков, а также использоваться в 16-гигабайтных серверных модулях оперативной памяти RDIMM, подчеркивают представители Samsung. Читать запись полностью »
Стартап MetaRAM разработал технологию, благодаря которой емкость стандартного DIMM-модуля оперативной памяти удалось увеличить в 4 раза. Новые модули помещаются в стандартные слоты и не требуют дополнительного электропитания. Первые серверы с технологией MetaRAM ожидаются в I квартале 2008 г.
Последние комментарии