Теги : DDR3, DIMM, Samsung, ноутбук, сервер
Микросхему оперативной памяти DDR3 емкостью четыре гигабита, первую в мире, разработала компания Samsung. Она позволит увеличить объем модуля оперативной памяти до 32 гигабайт, так как выполнена с соблюдением 50-нанометровой технологии Требуемое напряжение 20 процентов меньше, чем требуется для работы выпускаемых в настоящее время чипов памяти DDR3, и составляет 1,35 вольта.
Кроме того, энергопотребление на 40 процентов меньше энергопотребления аналогичного, созданного на основе двухгигабитных чипов на базе четырехгигабитных микросхем, 16-гигабайтного модуля DDR3.
Четырехгигабитные чипы памяти DDR3 могут стать основой восьмигигабайтных модулей памяти для рабочих станций, настольных ПК и ноутбуков, а также использоваться в 16-гигабайтных серверных модулях оперативной памяти RDIMM, подчеркивают представители Samsung.
Samsung в сентябре прошлого года анонсировал двухгигабитные чипы оперативной памяти, выполненные по 50-нанометровой технологии. Сейчас же линейка 50-нанометровых чипов оперативной памяти DDR3 компании Samsung включает микросхемы объемом один, два и четыре гигабита.
Источник:
Загрузка ...
28 мая 2009 в 12:20
Samsung разработал четырехгигабитную DDR3, может четырехгигаБАЙтную DDR3?Гигабит и гигабайт отличаются в 8 раз,а память DDR3 в 512МБ=четырегигабита уже давно в продаже.
30 мая 2009 в 5:38
Внимательнее читаем, “микросхема”, а не плашка… А на плашке этих микросхем… “объем модуля оперативной памяти до 32 гигабайт”…
2 июня 2009 в 12:39
“Samsung разработал четырехгигабитную микросхему памяти”
именно такой заголовок в источнике на который ВЫ ссылаетесь.
3 июня 2009 в 10:44
“В гигабитах (Gb) измеряется емкость микросхем, из которых состоит модуль памяти. Объем последнего измеряется в гигабайтах (GB). Один гигабайт соответствует восьми гигабитам.”