CRONOBUG

Теги : скоростные показатели, скорость чтения, технология MLC, технологияи многоуровневых ячеек, транзисторный накопитель

В первой четверти 2011 года компания Intel планирует представить новую линейку транзисторных накопителей под кодовым именем Lyndonville, в которую войдут 3 модели различной ёмкости: 100, 200 и 400 Гб.

Твердотельные накопители Intel начального уровня X25-V (Value) объёмом 40 Гб производятся на 34-нм техпроцессе с использованием технологии многоуровневых ячеек (MLC) флеш-памяти NAND, но и более низкими показателями скорости работы и надёжности, а пользуются успехом благодаря своей относительно невысокой ценой изготовления в сравнении с SLC.

Линейки X25-E (Extreme), в частности, модели ёмкостью 32 Гб и 64 Гб, обладают скоростью чтения и записи соответственно 250 Мб/с и 170 Мб/с при энергопотреблении около 2,5 Вт, а в неактивном режиме — 0,06 Вт.

Использование технологии одноуровневых ячеек (SLC) памяти, а также 10-канального контроллера, обеспечило достаточно высокие скоростные показатели, но вот в технологическом процессе используются довольно старые 50-нм нормы производства. Зато это одно из лучших предложений за свою цену,  и пока, в текущем году, Intel не намерена убирать X25-E из верхнего ряда своих предложений.

Для производства накопителей Lyndonville будет задействован технология MLC и 25-нм техпроцесс. Недостатки же перед SLC будут компенсированы более совершенной управляющей электроникой.

Накопители должны обладать отличными показателями скорости, поскольку рассчитаны на корпоративный сегмент рынка.

© 3dnews.ru